F4100R12KS4BOSA1

IGBT MODULE VCES 1200V 100A
F4100R12KS4BOSA1 P1
F4100R12KS4BOSA1 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Infineon Technologies ~ F4100R12KS4BOSA1

Artikelnummer
F4100R12KS4BOSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
IGBT MODULE VCES 1200V 100A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- F4100R12KS4BOSA1 PDF online browsing
Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Artikelnummer F4100R12KS4BOSA1
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Aufbau Three Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 130A
Leistung max 660W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3.75V @ 15V, 100A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 6.8nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module

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