BUZ80A

MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220AB
BUZ80A P1
BUZ80A P1
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Infineon Technologies ~ BUZ80A

Numero di parte
BUZ80A
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220AB
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte BUZ80A
Stato parte Discontinued at Digi-Key
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1350pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 2A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB
Pacchetto / caso TO-220-3

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