BUZ80A

MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220AB
BUZ80A P1
BUZ80A P1
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Infineon Technologies ~ BUZ80A

Numéro d'article
BUZ80A
Fabricant
Infineon Technologies
La description
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article BUZ80A
État de la pièce Discontinued at Digi-Key
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 800V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 3.6A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1350pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 2A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220AB
Paquet / cas TO-220-3

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