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| Numero di parte | BSS192PE6327 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 190mA (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.8V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 130µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 104pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 Ohm @ 190mA, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT89 |
| Pacchetto / caso | TO-243AA |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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BSS100 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 220MA TO92 | - | 19310 | Dettagli |
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BSS110 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 50V 170MA TO92 | - | 19310 | Dettagli |
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BSS119 E6433 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | 0 | Dettagli | |
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BSS119 E7796 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | 0 | Dettagli | |
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BSS119 E7978 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | 0 | Dettagli | |
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BSS119E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | 0 | Dettagli | |
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BSS119L6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | 0 | Dettagli | |
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BSS119L6433HTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | 0 | Dettagli | |
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BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23 | 3000 | Dettagli | |
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BSS119NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23 | - | 0 | Dettagli |
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BSS123 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | - | 534000 | Dettagli |
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BSS123 E6433 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | 0 | Dettagli |