BSS192PE6327

MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89
BSS192PE6327 P1
BSS192PE6327 P1
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Infineon Technologies ~ BSS192PE6327

Artikelnummer
BSS192PE6327
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer BSS192PE6327
Teilstatus Obsolete
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 250V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 190mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 2.8V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 130µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 6.1nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 104pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 12 Ohm @ 190mA, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-SOT89
Paket / Fall TO-243AA

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