BSP129H6327XTSA1

MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
BSP129H6327XTSA1 P1
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Infineon Technologies ~ BSP129H6327XTSA1

Numero di parte
BSP129H6327XTSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte BSP129H6327XTSA1
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 240V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 350mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 0V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 108µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.7nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 108pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET Depletion Mode
Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 Ohm @ 350mA, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOT223-4
Pacchetto / caso TO-261-4, TO-261AA

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