BSP129H6327XTSA1

MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
BSP129H6327XTSA1 P1
BSP129H6327XTSA1 P1
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Infineon Technologies ~ BSP129H6327XTSA1

Artikelnummer
BSP129H6327XTSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer BSP129H6327XTSA1
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 240V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 350mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 0V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 108µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 5.7nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 108pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft Depletion Mode
Verlustleistung (Max) 1.8W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 6 Ohm @ 350mA, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-SOT223-4
Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA

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