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Numero di parte | BSO211PNTMA1 |
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Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.7A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 67 mOhm @ 4.7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 25µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23.9nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 920pF @ 15V |
Potenza - Max | 2W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | P-DSO-8 |