BSO211PNTMA1

MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC
BSO211PNTMA1 P1
BSO211PNTMA1 P1
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Infineon Technologies ~ BSO211PNTMA1

Artikelnummer
BSO211PNTMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
BSO211PNTMA1.pdf BSO211PNTMA1 PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Produktparameter

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Artikelnummer BSO211PNTMA1
Teilstatus Obsolete
FET Typ 2 P-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 4.7A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 67 mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 25µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 23.9nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 920pF @ 15V
Leistung max 2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket P-DSO-8

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