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| Numero di parte | BSL806NH6327XTSA1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate, 1.8V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.3A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 750mV @ 11µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.7nC @ 2.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 259pF @ 10V |
| Potenza - Max | 500mW |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSOP6-6 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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BSL806NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TSOP6-6 | - | 0 | Dettagli |
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BSL806NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 2.3A 6TSOP | - | 0 | Dettagli |