BSL806NH6327XTSA1

MOSFET N-CH TSOP6-6
BSL806NH6327XTSA1 P1
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Infineon Technologies ~ BSL806NH6327XTSA1

Numéro d'article
BSL806NH6327XTSA1
Fabricant
Infineon Technologies
La description
MOSFET N-CH TSOP6-6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article BSL806NH6327XTSA1
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate, 1.8V Drive
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 750mV @ 11µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.7nC @ 2.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 259pF @ 10V
Puissance - Max 500mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package de périphérique fournisseur PG-TSOP6-6

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