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| Numero di parte | 1EDI30J12CPXUMA1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Configurazione guidata | Half-Bridge |
| Tipo di canale | Synchronous |
| Numero di driver | 2 |
| Gate Type | P-Channel MOSFET |
| Tensione - Fornitura | 4.75 V ~ 17.5 V |
| Tensione logica - VIL, VIH | 1V, 2V |
| Corrente - Uscita picco (sorgente, lavello) | 4A, 4A |
| Tipo di input | Non-Inverting |
| Tensione lato alto - Max (Bootstrap) | 1200V |
| Rise / Fall Time (Typ) | 23ns, 22ns |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 19 Leads |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-DSO-19-4 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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1EDI30I12MFXUMA1 | Infineon Technologies | IC IGBT DVR 1200V DSO8 | 0 | Dettagli | |
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1EDI30I12MHXUMA1 | Infineon Technologies | IC IGBT DVR 1200V 8DSO | 1000 | Dettagli | |
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1EDI30J12CPXUMA1 | Infineon Technologies | IC JFET DVR SGL 1200V 4A DSO19 | 0 | Dettagli |