1EDI30J12CPXUMA1

IC JFET DVR SGL 1200V 4A DSO19
1EDI30J12CPXUMA1 P1
1EDI30J12CPXUMA1 P1
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Infineon Technologies ~ 1EDI30J12CPXUMA1

Numéro d'article
1EDI30J12CPXUMA1
Fabricant
Infineon Technologies
La description
IC JFET DVR SGL 1200V 4A DSO19
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
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Numéro d'article 1EDI30J12CPXUMA1
État de la pièce Active
Configuration pilotée Half-Bridge
Type de canal Synchronous
Nombre de pilotes 2
Type de porte P-Channel MOSFET
Tension - Alimentation 4.75 V ~ 17.5 V
Tension logique - VIL, VIH 1V, 2V
Courant - sortie de crête (source, évier) 4A, 4A
Type d'entrée Non-Inverting
Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) 1200V
Rise / Fall Time (Typ) 23ns, 22ns
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 19 Leads
Package de périphérique fournisseur PG-DSO-19-4

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