FDB2570

MOSFET N-CH 150V 22A TO-263AB
FDB2570 P1
FDB2570 P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDB2570

Numero di parte
FDB2570
fabbricante
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET N-CH 150V 22A TO-263AB
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte FDB2570
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 22A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1911pF @ 75V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 93W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 11A, 10V
temperatura di esercizio -65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore D²PAK (TO-263AB)
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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