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| Numero di parte | FCH060N80_F155 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 56A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 5.8mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 350nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 14685pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | Super Junction |
| Dissipazione di potenza (max) | 500W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 29A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 Long Leads |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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FCH060N80-F155 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 56A TO247 | - | 6327 | Dettagli |
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FCH060N80_F155 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 56A TO247 | - | 415 | Dettagli |
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FCH067N65S3-F155 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 44A TO247 | - | 10132 | Dettagli |
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FCH067N65S3_F155 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 44A TO247 | - | 310 | Dettagli |