FCH060N80_F155

MOSFET N-CH 800V 56A TO247
FCH060N80_F155 P1
FCH060N80_F155 P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FCH060N80_F155

Numéro d'article
FCH060N80_F155
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 800V 56A TO247
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article FCH060N80_F155
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 800V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 56A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 5.8mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 350nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 14685pF @ 100V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique Super Junction
Dissipation de puissance (Max) 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 29A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-247 Long Leads
Paquet / cas TO-247-3

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