ZXMC4559DN8TA

MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
ZXMC4559DN8TA P1
ZXMC4559DN8TA P1
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Diodes Incorporated ~ ZXMC4559DN8TA

Numéro d'article
ZXMC4559DN8TA
Fabricant
Diodes Incorporated
La description
MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article ZXMC4559DN8TA
État de la pièce Active
FET Type N and P-Channel
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 3.6A, 2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 20.4nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1063pF @ 30V
Puissance - Max 1.25W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SOP

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