NE85619-T1

TRANS NPN 1GHZ SMD
NE85619-T1 P1
NE85619-T1 P2
NE85619-T1 P1
NE85619-T1 P2
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CEL ~ NE85619-T1

Numero di parte
NE85619-T1
fabbricante
CEL
Descrizione
TRANS NPN 1GHZ SMD
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
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Numero di parte NE85619-T1
Stato parte Obsolete
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V
Frequenza - Transizione 4.5GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f) 1.4dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
Guadagno 6.5dB ~ 12.5dB
Potenza - Max 100mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 20mA, 10V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-523
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-523

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