NE85619-T1

TRANS NPN 1GHZ SMD
NE85619-T1 P1
NE85619-T1 P2
NE85619-T1 P1
NE85619-T1 P2
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

CEL ~ NE85619-T1

Artikelnummer
NE85619-T1
Hersteller
CEL
Beschreibung
TRANS NPN 1GHZ SMD
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
NE85619-T1.pdf NE85619-T1 PDF online browsing
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - HF
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Produktparameter

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Artikelnummer NE85619-T1
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 12V
Frequenz - Übergang 4.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.4dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
Gewinnen 6.5dB ~ 12.5dB
Leistung max 100mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 20mA, 10V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-523
Lieferantengerätepaket SOT-523

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