VS-GB70NA60UF

IGBT 600V 111A 447W SOT-227
VS-GB70NA60UF P1
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Vishay Semiconductor Diodes Division ~ VS-GB70NA60UF

Numéro d'article
VS-GB70NA60UF
Fabricant
Vishay Semiconductor Diodes Division
La description
IGBT 600V 111A 447W SOT-227
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article VS-GB70NA60UF
État de la pièce Obsolete
Type d'IGBT NPT
Configuration Single
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 111A
Puissance - Max 447W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.44V @ 15V, 70A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 100µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce -
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SOT-227-4, miniBLOC
Package de périphérique fournisseur SOT-227

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