VS-GB100TH120U

IGBT 1200V 200A 1136W INT-A-PAK
VS-GB100TH120U P1
VS-GB100TH120U P1
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Vishay Semiconductor Diodes Division ~ VS-GB100TH120U

Numéro d'article
VS-GB100TH120U
Fabricant
Vishay Semiconductor Diodes Division
La description
IGBT 1200V 200A 1136W INT-A-PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- VS-GB100TH120U PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article VS-GB100TH120U
État de la pièce Active
Type d'IGBT NPT
Configuration Half Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 200A
Puissance - Max 1136W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.6V @ 15V, 100A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 5mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 8.45nF @ 20V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Double INT-A-PAK (3 + 4)
Package de périphérique fournisseur Double INT-A-PAK

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