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| Numéro d'article | VS-GA100TS120UPBF |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| Type d'IGBT | - |
| Configuration | Half Bridge |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 1200V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 182A |
| Puissance - Max | 520W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 100A |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 1mA |
| Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce | 18.67nF @ 30V |
| Contribution | Standard |
| Thermistance NTC | No |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / cas | INT-A-Pak |
| Package de périphérique fournisseur | INT-A-PAK |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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VS-GA100NA60UP | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 100A 250W SOT-227 | 0 | Détails | |
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VS-GA100TS120UPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 182A 520W INT-A-PAK | 0 | Détails | |
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VS-GA100TS60SF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 220A 780W | - | 0 | Détails |
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VS-GA100TS60SFPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 220A 780W INT-A-PAK | - | 0 | Détails |