VS-GA100TS120UPBF

IGBT 1200V 182A 520W INT-A-PAK
VS-GA100TS120UPBF P1
VS-GA100TS120UPBF P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Vishay Semiconductor Diodes Division ~ VS-GA100TS120UPBF

Artikelnummer
VS-GA100TS120UPBF
Hersteller
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung
IGBT 1200V 182A 520W INT-A-PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
VS-GA100TS120UPBF.pdf VS-GA100TS120UPBF PDF online browsing
Familie
Transistoren - IGBTs - Module
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer VS-GA100TS120UPBF
Teilstatus Obsolete
IGBT-Typ -
Aufbau Half Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 182A
Leistung max 520W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 100A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 18.67nF @ 30V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall INT-A-Pak
Lieferantengerätepaket INT-A-PAK

Verwandte Produkte

Alle Produkte