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| Numéro d'article | SI5922DU-T1-GE3 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Caractéristique | Standard |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.2 mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 7.1nC @ 4.5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 765pF @ 15V |
| Puissance - Max | 10.4W |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| Package de périphérique fournisseur | PowerPAK® ChipFet Dual |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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SI5920DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8 | - | 0 | Détails |
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SI5920DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8 | - | 0 | Détails |
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SI5922DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET ARRAY 2N-CH 30V CHIPFET | - | 0 | Détails |