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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SI5922DU-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 19.2 mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 7.1nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 765pF @ 15V |
| Leistung max | 10.4W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® ChipFet Dual |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SI5920DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI5920DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI5922DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET ARRAY 2N-CH 30V CHIPFET | - | 0 | Einzelheiten |