SE20FJHM3/I

DIODE GEN PURP 600V 1.7A DO219AB
SE20FJHM3/I P1
SE20FJHM3/I P1
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Vishay Semiconductor Diodes Division ~ SE20FJHM3/I

Numéro d'article
SE20FJHM3/I
Fabricant
Vishay Semiconductor Diodes Division
La description
DIODE GEN PURP 600V 1.7A DO219AB
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Diodes - Redresseurs - Simples
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Numéro d'article SE20FJHM3/I
État de la pièce Active
Type de diode Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Courant - Rectifié moyen (Io) 1.7A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 1.1V @ 2A
La vitesse Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) 920ns
Courant - Fuite inverse @ Vr 5µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F 13pF @ 4V, 1MHz
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas DO-219AB
Package de périphérique fournisseur DO-219AB (SMF)
Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 175°C

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