SE20FJHM3/I

DIODE GEN PURP 600V 1.7A DO219AB
SE20FJHM3/I P1
SE20FJHM3/I P1
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Vishay Semiconductor Diodes Division ~ SE20FJHM3/I

Número de pieza
SE20FJHM3/I
Fabricante
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción
DIODE GEN PURP 600V 1.7A DO219AB
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- SE20FJHM3/I PDF online browsing
Familia
Diodos - Rectificadores
- Simple
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Número de pieza SE20FJHM3/I
Estado de la pieza Active
Tipo de diodo Standard
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Corriente - promedio rectificado (Io) 1.7A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si 1.1V @ 2A
Velocidad Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr) 920ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 5µA @ 600V
Capacitancia @ Vr, F 13pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja DO-219AB
Paquete de dispositivo del proveedor DO-219AB (SMF)
Temperatura de funcionamiento - unión -55°C ~ 175°C

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