IRC630PBF

MOSFET N-CH 200V 9A TO-220-5
IRC630PBF P1
IRC630PBF P1
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Vishay Siliconix ~ IRC630PBF

Numéro d'article
IRC630PBF
Fabricant
Vishay Siliconix
La description
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220-5
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article IRC630PBF
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 25V
FET Caractéristique Current Sensing
Dissipation de puissance (Max) 74W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220-5
Paquet / cas TO-220-5

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