IRC630PBF

MOSFET N-CH 200V 9A TO-220-5
IRC630PBF P1
IRC630PBF P1
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Vishay Siliconix ~ IRC630PBF

Artikelnummer
IRC630PBF
Hersteller
Vishay Siliconix
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220-5
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IRC630PBF
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 25V
FET-Eigenschaft Current Sensing
Verlustleistung (Max) 74W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-5
Paket / Fall TO-220-5

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