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Toshiba Semiconductor and Storage ~ TPC8221-H,LQ(S

Numéro d'article	TPC8221-H,LQ(S
État de la pièce	Obsolete
FET Type	2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique	Standard
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	830pF @ 10V
Puissance - Max	450mW
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur	8-SOP

Numéro d'article	Les fabricants	La description	PDF	Vue
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TPC8221-H,LQ(S	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP		Détails
TPC8223-H,LQ(S	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP	-	Détails