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Toshiba Semiconductor and Storage ~ TPC8211(TE12L,Q,M)

Numéro d'article: TPC8211(TE12L,Q,M)
Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
La description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A SOP8
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique: TPC8211(TE12L,Q,M).pdf TPC8211(TE12L,Q,M) PDF online browsing
Famille: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Numéro d'article	TPC8211(TE12L,Q,M)
État de la pièce	Obsolete
FET Type	2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique	Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1250pF @ 10V
Puissance - Max	450mW
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Package de périphérique fournisseur	8-SOP (5.5x6.0)

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
TPC8211(TE12L,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH 30V 5.5A SOP8	Détails
TPC8212-H(TE12LQ,M	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8	Détails
TPC8213-H(TE12LQ,M	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH 60V 5A SOP8	Détails