Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.
| Numéro d'article | TJ8S06M3L(T6L1,NQ) |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | P-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 60V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 8A (Ta) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 890pF @ 10V |
| Vgs (Max) | +10V, -20V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 27W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 104 mOhm @ 4A, 10V |
| Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | DPAK+ |
| Paquet / cas | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TJ8S06M3L(T6L1,NQ) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3 | - | 0 | Détails |