QS8M13TCR

MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8
QS8M13TCR P1
QS8M13TCR P1
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Rohm Semiconductor ~ QS8M13TCR

Numéro d'article
QS8M13TCR
Fabricant
Rohm Semiconductor
La description
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article QS8M13TCR
État de la pièce Active
FET Type N and P-Channel
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 6A, 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 390pF @ 10V
Puissance - Max 1.5W
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SMD, Flat Lead
Package de périphérique fournisseur TSMT8

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