QS8M13TCR

MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8
QS8M13TCR P1
QS8M13TCR P1
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Rohm Semiconductor ~ QS8M13TCR

Artikelnummer
QS8M13TCR
Hersteller
Rohm Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer QS8M13TCR
Teilstatus Active
FET Typ N and P-Channel
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 6A, 5A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 28 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 390pF @ 10V
Leistung max 1.5W
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket TSMT8

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