Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.
Numéro d'article | EM6M1T2R |
---|---|
État de la pièce | Not For New Designs |
FET Type | N and P-Channel |
FET Caractéristique | Logic Level Gate |
Drain à la tension de source (Vdss) | 30V, 20V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 100mA, 200mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 10mA, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 0.9nC @ 4.5V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 13pF @ 5V |
Puissance - Max | 150mW |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / cas | SOT-563, SOT-666 |
Package de périphérique fournisseur | EMT6 |