EM6M1T2R

MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6
EM6M1T2R P1
EM6M1T2R P2
EM6M1T2R P1
EM6M1T2R P2
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Rohm Semiconductor ~ EM6M1T2R

Número de pieza
EM6M1T2R
Fabricante
Rohm Semiconductor
Descripción
MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza EM6M1T2R
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo de FET N and P-Channel
Característica FET Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V, 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 100mA, 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 0.9nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 13pF @ 5V
Potencia - Max 150mW
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivo del proveedor EMT6

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