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| Numéro d'article | NTGS1135PT1G |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| FET Type | P-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 8V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 4.6A (Ta) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 850mV @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 4.5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2200pF @ 6V |
| Vgs (Max) | ±6V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 970mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31 mOhm @ 4.6A, 4.5V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | 6-TSOP |
| Paquet / cas | SOT-23-6 |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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NTGS1135PT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 8V 4.6A 6-TSOP | - | 0 | Détails |
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