NGTG35N65FL2WG

IGBT 650V 60A 167W TO247
NGTG35N65FL2WG P1
NGTG35N65FL2WG P1
Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.

ON Semiconductor ~ NGTG35N65FL2WG

Numéro d'article
NGTG35N65FL2WG
Fabricant
ON Semiconductor
La description
IGBT 650V 60A 167W TO247
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- NGTG35N65FL2WG PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Simples
  • En stock $ Quantité pcs
  • Prix ​​de référence : submit a request

Soumettez une demande d'offre sur des quantités supérieures à celles affichées.

Produit Paramètre

Tous les produits

Numéro d'article NGTG35N65FL2WG
État de la pièce Active
Type d'IGBT Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 70A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 35A
Puissance - Max 300W
Échange d'énergie 840µJ (on), 280µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 125nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 72ns/132ns
Condition de test 400V, 35A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-247-3
Package de périphérique fournisseur TO-247-3

Produits connexes

Tous les produits