NGTG35N65FL2WG

IGBT 650V 60A 167W TO247
NGTG35N65FL2WG P1
NGTG35N65FL2WG P1
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ON Semiconductor ~ NGTG35N65FL2WG

Artikelnummer
NGTG35N65FL2WG
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT 650V 60A 167W TO247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
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Artikelnummer NGTG35N65FL2WG
Teilstatus Active
IGBT-Typ Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 70A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 120A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 35A
Leistung max 300W
Energie wechseln 840µJ (on), 280µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 125nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 72ns/132ns
Testbedingung 400V, 35A, 10 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Lieferantengerätepaket TO-247-3

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