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ON Semiconductor ~ FDN338P_G

Numéro d'article	FDN338P_G
État de la pièce	Obsolete
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	1.6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	115 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	6.2nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±8V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	451pF @ 10V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	500mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	SuperSOT-3
Paquet / cas	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Numéro d'article	Les fabricants	La description	PDF	En stock	Vue
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