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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | FDN338P_G |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 1.6A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 115 mOhm @ 1.6A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 451pF @ 10V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 500mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SuperSOT-3 |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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FDN028N20 | Fairchild/ON Semiconductor | PT8 20/12V NCH POWERTRENCH MOSFE | - | 0 | Einzelheiten |
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FDN302P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3 | - | 0 | Einzelheiten |
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FDN304P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3 | - | 0 | Einzelheiten |
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FDN304PZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT-3 | - | 0 | Einzelheiten |
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FDN306P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3 | - | 33000 | Einzelheiten |
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FDN308P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 1.5A SSOT-3 | - | 3000 | Einzelheiten |
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FDN327N | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 2A SSOT-3 | - | 0 | Einzelheiten |
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FDN335N | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 1.7A SSOT3 | - | 60000 | Einzelheiten |
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FDN336P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT3 | - | 3000 | Einzelheiten |
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FDN336P-NL | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT-3 | - | 0 | Einzelheiten |
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FDN337N | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 2.2A SSOT3 | - | 0 | Einzelheiten |
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FDN337N-F169 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V SSOT3 | - | 5873 | Einzelheiten |