PMN50XP,165

MOSFET P-CH 20V 4.8A 6TSOP
PMN50XP,165 P1
PMN50XP,165 P1
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NXP USA Inc. ~ PMN50XP,165

Numéro d'article
PMN50XP,165
Fabricant
NXP USA Inc.
La description
MOSFET P-CH 20V 4.8A 6TSOP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- PMN50XP,165 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article PMN50XP,165
État de la pièce Obsolete
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 4.8A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1020pF @ 20V
Vgs (Max) ±12V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 2.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 6-TSOP
Paquet / cas SC-74, SOT-457

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