PMN55ENEX

MOSFET N-CH 60V 4.5A 6TSOP
PMN55ENEX P1
PMN55ENEX P1
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Nexperia USA Inc. ~ PMN55ENEX

Numéro d'article
PMN55ENEX
Fabricant
Nexperia USA Inc.
La description
MOSFET N-CH 60V 4.5A 6TSOP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article PMN55ENEX
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 4.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 646pF @ 30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 560mW (Ta), 6.25mW (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 6-TSOP
Paquet / cas SC-74, SOT-457

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