A2T18S165-12SR3

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
A2T18S165-12SR3 P1
A2T18S165-12SR3 P1
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NXP USA Inc. ~ A2T18S165-12SR3

Numéro d'article
A2T18S165-12SR3
Fabricant
NXP USA Inc.
La description
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- A2T18S165-12SR3 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - RF
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Numéro d'article A2T18S165-12SR3
État de la pièce Active
Type de transistor LDMOS
La fréquence 1.805GHz ~ 1.995GHz
Gain 18dB
Tension - Test 28V
Note actuelle 10µA
Figure de bruit -
Actuel - Test 800mA
Puissance - Sortie 148W
Tension - Rated 65V
Paquet / cas NI-780S-2L2L
Package de périphérique fournisseur NI-780S-2L2L

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