A2T18H450W19SR6

IC TRANS RF LDMOS
A2T18H450W19SR6 P1
A2T18H450W19SR6 P1
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NXP USA Inc. ~ A2T18H450W19SR6

Numéro d'article
A2T18H450W19SR6
Fabricant
NXP USA Inc.
La description
IC TRANS RF LDMOS
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - RF
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Numéro d'article A2T18H450W19SR6
État de la pièce Active
Type de transistor LDMOS
La fréquence 1.805GHz ~ 1.88GHz
Gain 16.5dB
Tension - Test -
Note actuelle -
Figure de bruit -
Actuel - Test -
Puissance - Sortie 89W
Tension - Rated 30V
Paquet / cas NI-1230S-8 Variant, Flat Leads
Package de périphérique fournisseur NI-1230S-8

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