PHC2300,118

MOSFET N/P-CH 300V 8SOIC
PHC2300,118 P1
PHC2300,118 P1
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Nexperia USA Inc. ~ PHC2300,118

Numéro d'article
PHC2300,118
Fabricant
Nexperia USA Inc.
La description
MOSFET N/P-CH 300V 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article PHC2300,118
État de la pièce Active
FET Type N and P-Channel
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 300V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 340mA, 235mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 Ohm @ 170mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.24nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 102pF @ 50V
Puissance - Max 1.6W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SO

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