PHC21025,118

MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
PHC21025,118 P1
PHC21025,118 P1
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Nexperia USA Inc. ~ PHC21025,118

Numéro d'article
PHC21025,118
Fabricant
Nexperia USA Inc.
La description
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article PHC21025,118
État de la pièce Active
FET Type N and P-Channel
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 3.5A, 2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 20V
Puissance - Max 2W
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SO

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