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| Numéro d'article | BAS16L,315 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de diode | Standard |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 215mA (DC) |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 150mA |
| La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 500nA @ 80V |
| Capacitance @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | SOD-882 |
| Package de périphérique fournisseur | DFN1006-2 |
| Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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BAS101,215 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 300V 200MA SOT23 | 0 | Détails | |
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BAS101S,215 | Nexperia USA Inc. | DIODE ARRAY GP 300V 200MA SOT23 | 0 | Détails | |
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BAS116 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT23-3 | - | 0 | Détails |
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BAS116 RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23 | - | 1546376 | Détails |
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BAS116,215 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 75V 215MA SOT23 | 9000 | Détails | |
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BAS116,235 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 75V 215MA SOT23 | 90000 | Détails | |
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BAS116-7-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT23-3 | - | 0 | Détails |
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BAS116E6327HTSA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3 | - | 42000 | Détails |
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BAS116E6433HTMA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3 | - | 0 | Détails |
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BAS116GWJ | Nexperia USA Inc. | BAS116GW/SOD123/SOD2 | - | 10000 | Détails |
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BAS116GWX | Nexperia USA Inc. | BAS116GW/SOD123/SOD2 | - | 3000 | Détails |
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BAS116H,115 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 75V 215MA SOD123F | 33000 | Détails |