Las imágenes son sólo para referencia.
Ver especificaciones del producto para detalles del producto.
| Número de pieza | BAS16L,315 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 215mA (DC) |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.25V @ 150mA |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 4ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 500nA @ 80V |
| Capacitancia @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | SOD-882 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DFN1006-2 |
| Temperatura de funcionamiento - unión | 150°C (Max) |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BAS101,215 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 300V 200MA SOT23 | 0 | Detalles | |
 |
BAS101S,215 | Nexperia USA Inc. | DIODE ARRAY GP 300V 200MA SOT23 | 0 | Detalles | |
 |
BAS116 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT23-3 | - | 0 | Detalles |
 |
BAS116 RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23 | - | 1546376 | Detalles |
 |
BAS116,215 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 75V 215MA SOT23 | 9000 | Detalles | |
 |
BAS116,235 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 75V 215MA SOT23 | 90000 | Detalles | |
 |
BAS116-7-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT23-3 | - | 0 | Detalles |
 |
BAS116E6327HTSA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3 | - | 42000 | Detalles |
 |
BAS116E6433HTMA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3 | - | 0 | Detalles |
|
BAS116GWJ | Nexperia USA Inc. | BAS116GW/SOD123/SOD2 | - | 10000 | Detalles |
|
BAS116GWX | Nexperia USA Inc. | BAS116GW/SOD123/SOD2 | - | 3000 | Detalles |
 |
BAS116H,115 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 75V 215MA SOD123F | 33000 | Detalles |