APTGT75DA120T1G

IGBT 1200V 110A 357W SP1
APTGT75DA120T1G P1
APTGT75DA120T1G P1
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Microsemi Corporation ~ APTGT75DA120T1G

Numéro d'article
APTGT75DA120T1G
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
IGBT 1200V 110A 357W SP1
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article APTGT75DA120T1G
État de la pièce Obsolete
Type d'IGBT Trench Field Stop
Configuration Single
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 110A
Puissance - Max 357W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 250µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 5.34nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC Yes
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SP1
Package de périphérique fournisseur SP1

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